叶志镇造假本应无理

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叶志镇造假本应无理

　　作者：多讲一句

　　读了署名有法必依在新语丝上的帖子《应该允许叶志镇和“涉嫌”说“再
见”》才知道叶志镇教授偷不言声的开始了绝地反击。这倒也应了鲁迅先生讲的
落水狗可怜不得，必须痛打。

　　过去新语丝上揭发叶志镇的帖子大都集中在ZnO的p-型掺杂的问题，由于本
人根本没有从事过ZnO方面的工作，没有发言权。但本人今天在这里就讲一件本
人亲身经历过的事情来印证叶志镇造假的一贯性。

　　上世纪末，本人在香港科技大学访问，期间正好叶志镇到香港科技大学访问，
不记得是应谁的要求，带来了一些Si上生长的GaN样品，据说他们获得了非常好
的结果，并在日本举行的国际会议上报道了这些结果。本人有幸测试了那些样品，
本以为即使看不到叶志镇在国际会议上发表的漂亮结果，也应当看到带隙中缺陷
的发光。但样品根本就不发光。后经物理系其他小组测试根本就不发光。这些结
果后来发表在J. Appl. Phys. 87, 2830 (2000)。不知这种算不算造假。

(XYS20100204)

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